【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理

時(shí)間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：290

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 【二極管模塊】二極管的結(jié)構(gòu)組成

  二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件? 。它具有單向?qū)щ娦阅埽?即給二極管陽(yáng)極和陰極加上正向電壓時(shí)，二極管導(dǎo)通。?當(dāng)給陽(yáng)極和陰極加上反向電壓時(shí)，二極管截止。?因此，二極管的導(dǎo)通和截止，則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開 。二極管是較早誕生的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)用非常廣泛。特別是在各種電子電路中，利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進(jìn)行合理的連接，構(gòu)成

• 可控硅模塊分類

  可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合

• 熔斷器要怎么選？

  1.熔斷器類型的選用根據(jù)使用環(huán)境、負(fù)載性質(zhì)和短路電流的大小選用適當(dāng)類型的熔斷器。例如，對(duì)于容量較小的照明電路，可選用RT系列圓筒帽型熔斷器；相對(duì)于短路電流相當(dāng)大或有易燃?xì)怏w的地方，應(yīng)選用RT系列有填料密封管式熔斷器；在機(jī)床控制電路中，多選用RL系列螺旋式熔斷器；用于半導(dǎo)體功率元件及晶閘管的保護(hù)時(shí)，應(yīng)選用RS或RLS系列快速熔斷器。2.熔斷器額定電壓和額定電流的選用熔斷器的額定電壓必須不小于電路的額

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT結(jié)構(gòu)

  IGBT結(jié)構(gòu)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙較晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源較（即發(fā)射較E）。N基較稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵較（即門較G）。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有