可控硅模塊分類

時間：2021-04-16

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條
詞條說明
可控硅模塊
特性。通過用萬用表檢測其正、反向電阻值，可以判別出二極管的電極，還可估測出二極管是否損壞。1．極性的判別將萬用表置于R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極管的兩個電極，測出一個結果后，對調兩表筆，再測出一個結果。兩次測量的結果中，有一次測量出的阻值較大（為反向電阻），一次測量出的阻值較小（為正向電阻）。在阻值較小的一次測量中，黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負極。2．單負導電性能
英飛凌IGBT模塊檢測方法
英飛凌IGBT模塊檢測方法：測試方式：用萬用表只能測量，但不全面，若IGBT損壞一般可以測量出來，但是，若IGBT是好的，它無法肯定是好的。IGBT損壞標準：GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現二極管檔有讀數，即為損壞。（GE表示G接正表筆，E接負表筆；其它類同）IGBT的EC之間接有二極管，所以為導通狀態，電壓為0.34V左右。若想完整測試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1
二極管模塊如何選型？
首先二極管模塊分為：快恢復二極管模塊，肖特基二極管模塊，整流二i極管模塊也叫整流管模塊。快恢復二極管是一種能快速從通態轉變到關態的特殊晶體器件。導通時相當于開關閉合（電路接通），截止時相當于開關打開（電路切斷）。特性：開關速度快，快恢復二極管能夠在導通和截止之間快速轉化提高了器件的使用頻率和改善了波形。快恢復二極管模塊分400V快恢復二極管模塊，600V快恢復二極管模塊，1200V快恢復二極管模塊
平板式可控硅的制作方法
**名稱：平板式可控硅的制作方法技術領域：本實用新型涉及一種平板式可控硅。背景技術：可控硅又稱晶間管，晶間管整流器具有耐壓高、容量大、效率高、控制特性好、體積小、壽命長等諸多優點，發展迅猛。在世紀應用中，大功率晶間管整流裝置一般采用平板式可控硅，其特點是可作雙面冷卻。目前大功率平板式可控硅的封裝普遍采用陶瓷外殼的封裝結構形式，雖然陶瓷材料能夠絕緣、耐熱，但因為陶瓷工藝易碎、雜質難控制等特點，其加工