【二極管模塊】二極管的結構組成

時間：2021-05-31

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條說明
熔斷器保險絲基本知識你知多少？
熔斷器保險絲是用于保護電路的安全設備。它們安裝于各種供電設和負載之間，電流過高時便會觸發熔斷器工作(俗稱“燒斷”)，把負載從電源中斷開，減低過流造成設備損壞甚至引起火災的風險。燒斷了的保險絲必須棄置并替換，這是它們和功能相近的斷路器的主要分別──斷路器是可復位的。不過保險絲價格便宜，而且容易替換。新的保險絲應該與舊的有相同的額定電壓和載流。保險絲提供的安全機制使得它們成為各種應用的的**助手。保險
【可控硅模塊】可控硅模塊怎么檢測好壞
可控硅模塊怎么檢測好壞1、單向可控硅的檢測。萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制較G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短線瞬間短接陽極A和控制較G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅
【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理
IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高
【可控硅模塊】分類
可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor?module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、