熔斷器要怎么選？

時間：2020-05-12

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條說明
晶閘管的種類、特點及用途
晶閘管由硅單晶材料制成PN三端組件具有單向導通性、電壓和電流控制、小驅動（毫安級）控制大功率負載。由于其特點，常用于可控整流、逆變器、無觸點開關、交流壓力調節等方面。除了普通的晶閘管外，由于不同場合的使用要求，還產生了各種類型的晶閘管。普通晶閘管1.關閉晶閘管 KG普通晶閘管控制極限G加上普通晶閘管導通的正向觸發信號，控制較G為了關閉普通晶閘管，必須失去陽極A與陰極K正電壓為零或負電壓。只要控制較
【可控硅模塊】可控硅模塊怎么檢測好壞
可控硅模塊怎么檢測好壞1、單向可控硅的檢測。萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制較G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短線瞬間短接陽極A和控制較G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅
可控硅模塊的工作原理是什么
可控硅模塊是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態。此時，如果從控制較G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基較相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，于是BG1的集
【英飛凌IGBT模塊】IGBT簡介
IGBT簡介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙較型晶體管，是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上