HVA 真空閥門（真空閘閥）成功用于激光真空系統

時間：2024-01-11作者：伯東企業（上海）有限公司瀏覽：103

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  詞條說明

• 美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應用

  上海伯東某客戶在熱蒸發鍍膜機中配置美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進行鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3

• HVA 真空閘閥在氣體管路系統應用

  因產品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。美國 HVA?真空閘閥在氣體管路系統應用半導體工廠, 太陽能光伏, LED, 鍍膜等行業在工藝制程中需要使用到例如 Ar, O2 或是其他特殊氣體, 氣體管路系統(真空管路)的作用是把各種氣體在滿足工藝制程要求的純度, 壓力和流量的前提下安全穩定的供應到工藝設備內. 美國 HVA?真空閘閥廣泛用在氣體輸送環

• KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜

  硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉換效率低和由 S-W 效應引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導率、較高載流子遷移的電學性質及優良的光學穩定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領域的研究熱點.?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應的尾氣處理裝置, 有利于降低設備成本, 且工藝參數控制, 因此經過

• KRi 射頻離子源 IBSD離子束濺射沉積應用

  上海伯東美國?KRi 考夫曼 RF 射頻離子源, 燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 ?IBD 離子束沉積是其典型的應用.KRi?離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應用通常安裝兩個離子源主要濺射沉積源和二次預清潔 / 離子輔助源一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應性