KRi 射頻離子源 IBSD離子束濺射沉積應用

時間：2024-01-12

作者：伯東企業（上海）有限公司

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KRi 考夫曼離子源表面預清潔 Pre-clean 應用
上海伯東代理美國?KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發系統, PLD 脈沖激光系統等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進行預清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等！KRi 離子源預清潔可以實現去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳氫化合物殘留去除化學吸附污
美國 HVA 真空閥門中國總代理
上海伯東是美國?HVA 高真空和高真空閥門中國總代理!?HVA?是美國大的真空閥門制造商, 在美國有過四十年的歷史, 擁有6萬平方英尺的全自動加工工廠,?HVA?提供高質量, 準確, 客制化的真空閥門. 無論是生產線升級, 還是新設備制造,?HVA?都能提供經濟有效的閥門解決方案, 其中高真空閘閥現已廣泛應用于半導體氣體管路和各
KRi 大面積射頻離子源應用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統
上海伯東美國?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機, 刻蝕均勻性（1 σ）達到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導體, 絕緣體, 導體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機的部件,
上海伯東美國 HVA 真空插板閥在半導體管道中的應用
半導體后端工藝制程中需要使用到例如 Ar, O2 或是其他特殊氣體,氣體管路系統(真空管路)的作用是把各種氣體在滿足工藝制程要求的純度, 壓力和流量的前提下穩定的供應到工藝設備內. 上海伯東美國 HVA?插板閥廣泛用于高真空或高真空的氣體輸送環節,?用來改變氣流方向,?調節氣流量大小,?切斷或接通管路,?起到真空隔離密封等作用. 美國 HVA&nb