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詞條說(shuō)明
中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)2019年完成情況
據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)公布:2019年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入為7562.3億元,同比增長(zhǎng)15.80%,其中:設(shè)計(jì)業(yè)銷售收入為3063.5億元,同比增長(zhǎng)21.6%,占總值40.5%;晶圓制造業(yè)銷售收入為2149.1億元,同比增長(zhǎng)18.20%,占總值的28.40%;封測(cè)業(yè)銷售收入為2349.7億元,同比增長(zhǎng)7.10%,占總值的31.1%。都**了較好的業(yè)績(jī)。 據(jù)海關(guān)統(tǒng)計(jì),2019年中國(guó)集成電路進(jìn)出
掃描電鏡SEM你了解嗎?掃描電子顯微鏡SEM應(yīng)用范圍: 1、材料表面形貌分析,微區(qū)形貌觀察 2、各種材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 3、各種薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析 掃描電子顯微鏡樣品制備比透射電鏡樣品制備簡(jiǎn)單,不需要包埋和切片。 樣品要求: 樣品必須是固體;滿足無(wú)毒,無(wú)放射性,無(wú)污染,無(wú)磁,無(wú)水,成分穩(wěn)定要求。 制備原則: 表面受到污染的試樣,要在不破壞試樣表面結(jié)構(gòu)的
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍:1 pA - 400 nA; 2、電子束電壓:200eV-30 keV,具有減速模式 3、電子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒; 5、離子束加速電壓500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 6、離
2019年**半導(dǎo)體市場(chǎng)不景氣,中國(guó)表現(xiàn)良好
2019年**半導(dǎo)體市場(chǎng)陷入萎縮,而中國(guó)可圈可點(diǎn) 經(jīng)常會(huì)有人問(wèn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是什么樣的一種產(chǎn)業(yè)?魏少軍教授用奧地利經(jīng)濟(jì)學(xué)家約瑟夫·熊彼得的一句話來(lái)引出,那就是“創(chuàng)新不是一個(gè)技術(shù)概念,而是一個(gè)經(jīng)濟(jì)概念”。半導(dǎo)體或者芯片產(chǎn)業(yè),恰恰是一個(gè)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)業(yè),它的發(fā)明較終變成了錢,它是靠創(chuàng)新的方式來(lái)發(fā)展。所以它是個(gè)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)業(yè)。 了解了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的形式之后,再來(lái)看下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展情況。以史為鑒,從1987年到
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備

激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝

開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線

聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析

超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析

電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡

EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡

IV曲線測(cè)試開(kāi)短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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