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氧化鎵靶材:半導體制造的新寵氧化鎵靶材正在成為半導體行業的新焦點,這種高純度材料在薄膜沉積工藝中展現出獨特優勢。作為第四代半導體材料的關鍵組成部分,氧化鎵靶材的物理化學特性決定了其在功率電子器件領域的應用前景。氧化鎵靶材最顯著的特點是超寬禁帶寬度,達到4.8-4.9eV,遠高于硅的1.1eV和碳化硅的3.3eV。這一特性使其能夠承受更高電壓和溫度,特別適合制造高壓、大功率電子器件。在射頻器件和功
東莞金靶材電話作為一家生產高屬材料、蒸發鍍膜材料以及濺射靶材的科技型企業,我們的公司致力于為客戶提供高質量、的金靶材產品。金靶材作為高速荷能粒子轟擊的目標材料,在多個領域具有廣泛的應用,從光學涂層、生物醫學領域、電子器件到納米技術,金靶材都發揮著重要作用。在光學涂層方面,金靶材以其良好的光學特性,如高反射率、低吸收率和優異的耐腐蝕性能,被廣泛應用于制備光學元件,包括反射鏡、濾光片和增透膜等。這些產
高純銅合金靶材:精密制造的關鍵材料高純銅合金靶材在現代精密制造領域扮演著不可或缺的角色。這種特殊材料通過嚴格控制合金成分和純度,能夠滿足半導體、平板顯示等行業對材料性能的苛刻要求。純度是銅合金靶材的核心指標。99.99%以上的超高純度確保了濺射過程中不會引入雜質,**了薄膜的質量穩定性。通過真空熔煉、區域提純等工藝,可以有效去除氧、硫等有害元素,使材料達到電子級標準。高純度不僅影響薄膜的電學性能
硫化銅靶材:薄膜制備的關鍵材料 硫化銅靶材是一種廣泛應用于薄膜沉積工藝的重要材料,尤其在太陽能電池、光電探測器等領域具有不可替代的作用。它的核心優勢在于良好的導電性和光學特性,能夠滿足不同應用場景的需求。 硫化銅靶材的制備工藝直接影響其性能。通常采用粉末冶金法或化學合成法,通過高溫燒結使材料致密化,確保靶材的均勻性和穩定性。在濺射或蒸發過程中,硫化銅靶材能夠高效形成高質量的薄膜,且成分可控性較強,
公司名: 東莞市鼎偉新材料有限公司
聯系人: 肖先生
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