氦質譜檢漏儀 ASM 340D 高真空排氣臺密封性泄露檢測

時間：2023-04-12

作者：伯東企業（上海）有限公司

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KRi 離子源 e-beam 電子束蒸發系統輔助鍍膜應用
上海伯東美國?KRi 考夫曼離子源?e-beam 電子束蒸發系統輔助鍍膜應用上海伯東美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 系列, 通過加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強設計輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實現輔助鍍膜 IBAD.?e-beam?電子束蒸
美國 HVA 真空閥門選型
上海伯東美國?HVA 真空閥門選型實例產品系列特點口徑HVA 真空閘閥 11000 系列介面, 控制方式全包括DN 16 到 DN 600HVA 真空層流閘閥 13000系列防腐蝕DN 40 到 DN 300HVA 真空層流閘閥 16000系列防顆粒污染DN 40 到 DN 350HVA 矩形閥 21200 系列長使用壽命DN 16 到 DN 300HVA 3位真空閘閥 21700系列有
KRI 離子源應用于舞臺燈光濾光片鍍膜
?? 舞臺燈光雖然呈現是五顏六色的,?但光源一般都是白色.?通過在光源前加上特定的光學濾光片,?對光進行“加工”,?反射和透過特定的波段,?來達到不同的色彩變化.?加上顏色濾光片,?讓不同顏色的鏡片不停切換,?產生不同顏色.?而在光學元件或立基板上,?鍍上或涂布一層或多層介電質膜
美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應用
上海伯東某客戶在熱蒸發鍍膜機中配置美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進行鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3