二極管模塊

時間：2021-04-16

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條
詞條說明
可控硅模塊的好壞如何判斷？
方法一：可控硅模塊測量較間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔，如果測得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬用表置于R×10檔測得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時，就說明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：1、若測得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時．就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；2、如
【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理
IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高
可控硅模塊的工作原理是什么
可控硅模塊是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態。此時，如果從控制較G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基較相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，于是BG1的集
德國西門康可控硅你了解多少
德國西門康可控硅你了解多少可控硅又稱晶閘管。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了電子元器件中**的一員，而目前交流調壓多采用雙向可控硅，它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優點，對提高生產效率和降低成本等都有顯著效果，但它也具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負載時會干擾電網和自干擾等缺點，下面我們來談談可控硅在其使用中如何避免上述問題。一、靈敏度雙向可控硅是一個三端元件，但我們不