什么品牌的進(jìn)口晶閘管好

時間：2021-04-16作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：1962

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險絲,進(jìn)口晶閘管,德國西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

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  詞條說明

• WESTCODE相控可控硅平板形

  WESTCODE相控可控硅平板形IXYS UK Westcode ltd 西碼提供行業(yè)內(nèi)較全面的標(biāo)準(zhǔn)相位控制晶閘管(相控可控硅)。電壓范圍從600V到4500V的設(shè)備是可用的，使它們適用于電壓從230V到1000V以上的線路(我們的中壓晶閘管現(xiàn)在提供較高的電壓應(yīng)用)。IXYS UK Westcode ltd是一家良好的相位控制產(chǎn)品供應(yīng)商，產(chǎn)品涉及工業(yè)直流驅(qū)動器、感應(yīng)熔煉、船舶/鐵路推進(jìn)系統(tǒng)、風(fēng)力發(fā)

• 【可控硅模塊】分類

  可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor?module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、

• 可控硅模塊的好壞如何判斷？

  方法一：可控硅模塊測量較間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔，如果測得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬用表置于R×10檔測得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時，就說明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：1、若測得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時．就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；2、如

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理

  IGBT原理方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高