芯片失效分析流程

時間：2020-03-24作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：158

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• 詞條

  詞條說明

• 芯片分析方法

  1.OM 顯微鏡觀測，外觀分析 2.C-SAM（超聲波掃描顯微鏡） （1）材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒，夾雜物，沉淀物， （2） 內(nèi)部裂紋。（3）分層缺陷。（4）空洞，氣泡，空隙等。 3. X－Ray 檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。（這幾種是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性

• 芯片測試現(xiàn)狀分析

  失效分析就是要分析損壞的產(chǎn)品從而為改進(jìn)設(shè)計(jì)或明確責(zé)任提供素材的工作。但是從行業(yè)來看，目前很多公司特別是中小型公司的失效分析做的并不好。 中國有句俗話叫：“吃一塹，長一智”，《論語》中也有“**過”的說法。其本質(zhì)就是要從失敗中吸取教訓(xùn)避免進(jìn)一步的犯錯。 一方面，一些中小型電子產(chǎn)品生產(chǎn)商沒有良好的物料控制體系，不能對物料進(jìn)行有效的追溯。一旦出了問題，很難查到當(dāng)年的渠道和來源。甚至不能保證物料的真?zhèn)巍］^

• 聚焦離子束FIB詳細(xì)介紹

  聚焦離子束FIB詳解 1.引言 隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展*，而納米加工就是納米制造業(yè)的**部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束（FIB）技術(shù)利用高強(qiáng)度聚焦離子束對材料進(jìn)行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數(shù)電子顯微鏡實(shí)時觀察，成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed

• x-ray檢測內(nèi)容

  X射線(X-ray)檢測 X射線(X-ray)檢測儀是在不損壞被檢物品的前提下使用低能量X 光，快速檢測出被檢物。 利用高電壓撞擊靶材產(chǎn)生X射線穿透來檢測電子元器件、半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)構(gòu)造品質(zhì)、以及SMT各類型焊點(diǎn)焊接質(zhì)量等[1] 。 型號:XD7500NT 參考標(biāo)準(zhǔn):《IPC-A-610E電子組裝件的驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)》、《GB/T 17359-1998電子探針和掃描電鏡X射線能譜定量分析方法通則》