可控硅元件—可控硅元件的結構

時間：2015-09-18

作者：武漢武整機電有限公司

詞條
詞條說明
為什么選擇光伏**防反二極管模塊
? ? ? ?光伏防反二極管需要以下特點： ? ? ? ?1.?高的方向電壓，通常需要**過1500V????因為光伏陣列較高的時候會達到甚至**過1000V? ? ? ? ?2.?低的功耗，即導通阻抗（通態阻抗越
什么是雪崩二極管
??? 雪崩二極管是利用半導體結構中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應而產生負阻的固體微波器件。 ??? 雪崩擊穿是在電場作用下，載流子能量增大，不斷與晶體原子相碰，使共價鍵中的電子激發形成自由電子-空穴對。新產生的載流子又通過碰撞產生自由電子-空穴對，這就是倍增效應。1生2，2生4，像雪崩一樣增加載流子。齊納擊穿完全不同，在高的反
晶閘管的含義
?????? 晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，簡稱可控硅。1957年美國通用電器公司開發出世界上**特種晶閘管產品，并于1958年使其商業化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個較：陽極，陰極和門較；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門較有觸發電流。其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，光控晶閘管等。
雙向可控硅的產品判別，測量方法和參數符號
雙向可控硅-產品判別???????? 電路示意圖雙向可控硅等效于兩只單向可控硅反向并聯而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2較，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2較，剩下則為控制較（G）。? 1、單、雙向可控硅的判別：先任測兩個較，若正、反測指針均不動（R×1擋），可能是