關(guān)于可控硅

時(shí)間：2015-05-19

作者：深圳高科特半導(dǎo)體有限公司

詞條
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類別型號(hào) IC 1302 IC 1117S15 IC 1117S33 IC 1117S50 IC 1117SADJ IC BT2323 IC IC5168 IC K3055 IC L6008L8 IGBT 15N120 IGBT 20N120 IGBT 25N120 IGBT DG15N120 場(chǎng)效應(yīng)管 10**0 場(chǎng)效應(yīng)管 2**0 場(chǎng)效應(yīng)管 4**0 場(chǎng)效應(yīng)管 5**0 場(chǎng)效應(yīng)管 6**0
關(guān)于可控硅
鑒別可控硅三個(gè)較的辦法很簡(jiǎn)單，依據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表丈量一下三個(gè)較之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)極和操控較之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，并且方向相反，因而陽(yáng)極和操控較正反向都不通）。操控較與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因而它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的規(guī)模，反向電阻比正向電阻要大。可是操控較二極管特性是不太抱負(fù)的，反向

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