為您提供高性價比真空鍍膜設備解決方案《520愛情風暴來襲》

時間：2023-03-30

作者：鵬城半導體技術（深圳）有限公司

詞條
詞條說明
叮~鵬城半導體向您發來一封會議邀請函
2023年*二屆*三代半導體材料技術與市場研討會由半導體在線主辦，本屆會議于2023年3月30-31日在中國-蘇州合景萬怡酒店召開。*二屆*三代半導體材料技術與市場研討會提供協同創新的高質量交流平臺，推動國內三代半導體材料的學術研究、技術進步和產業發展，展示業內精英企業，凝聚行業發展共識。在此次會議，鵬城半導體技術（深圳）有限公司（簡稱：鵬城半導體）將帶來納米技術及高端制造設備跟大家見面，其中包括
熱絲CVD金剛石解決方案
【前言】金剛石是自然界已發現的具有較高的硬度、強度、耐磨性材料，金剛石具有的熱導率、透過波段、聲速以及半導體特性和化學惰性等綜合性能使其成為當今世界上較優秀的*材料。上世紀80年代初期通過化學低壓氣相沉積生成金剛石薄膜(CVD)技術取得突破性進展，經過多年的研究發展，CVD金剛石生長技術已日漸成熟。目前已有四種形態的CVD金剛石產品進入市場，它們是：1)純多晶金剛石厚片 2)涂層金剛石；3)大
*十七屆全國MOCVD學術會議與您太原相見！
2022年8月15日-18日，2022十七屆全國MOCVD學術會議選擇在中國·太原·湖濱國*際大酒店舉行。金屬**化學氣相淀積（MOCVD）技術自二十世紀六十年代提出以來，取*得了飛速進步，已經廣泛應用于制備III族氮化物、III-V族化合物、碲化物、氧化物等重要半導體材料及其**結構，較*大地推動了光電子器件和微電子器件與芯片的發展及產業化，也成為半導體**晶格、**阱、**線、**點結構材料及相
化學氣相沉積設備（CVD）-小型管式LPCVD設備
LPECVD是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科學研究、實踐教學、小型器件制造。小型管式LPCVD設備設備結構及特點1、小型化，方便實驗室操作和使用，大幅降低實驗成本兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片。基片放置方式：配置三種基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角。基片形狀類型：不規則形狀的散片、φ2～4