KRI 射頻離子源輔助沉積鍍制385nm紫外帶通濾光片

時間：2024-01-10作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：94

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• 上海伯東KRI 離子源在鍺基紅外鍍膜中的應(yīng)用

  ? ? 紅外光學(xué)薄膜器件作為紅外系統(tǒng)重要組成部分,?已廣泛應(yīng)用于航空航天、、環(huán)保、分析儀器等各個領(lǐng)域.?在紅外光學(xué)應(yīng)用中,?由于鍺在2～14μm紅外波段內(nèi)有高而均勻的透過率,?是一種的優(yōu)良紅外光學(xué)材料.?鍺單晶切片加工成的鍺透鏡及鍺窗和利用鍺單晶透過紅外波長特性制成的各種紅外光學(xué)部件廣泛用于各類紅外光學(xué)系統(tǒng).?&nbs

• 氦質(zhì)譜檢漏儀中壓開關(guān)柜檢漏

  氦質(zhì)譜檢漏儀中壓開關(guān)柜檢漏應(yīng)用于電力行業(yè)的中壓開關(guān)柜, 廣泛使用在發(fā)電廠, 變電站, 地區(qū)電網(wǎng)和輸電站中. 另外也適用于船舶, 高鐵等. 中壓開關(guān)柜是一種金屬封閉開關(guān)設(shè)備, 它對中壓開關(guān)以外的其他設(shè)備, 起到很好的絕緣性能, 避免電弧燒穿電力設(shè)備, **電力使用上的安全, 中壓開關(guān)柜內(nèi)部通過吸和開關(guān)控制電路.開關(guān)吸合器需要檢漏中壓開關(guān)柜內(nèi)部通過吸和開關(guān)控制電路, 吸合器內(nèi)部真空環(huán)境, 如果有漏,

• 美國 HVA 真空閥門選型

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• 氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實(shí)現(xiàn)金剛石膜制備

  氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實(shí)現(xiàn)金剛石膜制備微波等離子體化學(xué)氣相沉積法 Microwave Plasma CVD (MPCVD) 是目前**上被用于金剛石膜制備的公認(rèn)方法. MPCVD 裝置將微波發(fā)生器產(chǎn)生的微波經(jīng)波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)進(jìn)入反應(yīng)器, 并通入甲烷與氫氣的混合氣體, 在微波的激發(fā)下, 在反應(yīng)室內(nèi)產(chǎn)生輝光放電, 使反應(yīng)氣體的分子離化, 產(chǎn)生等離子體, 在基板臺上沉積得到金剛石膜. 上海伯東某