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詞條說明
一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極(即發(fā)射極E)。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極(即門極G)。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector),它是IGBT特有的功能區(qū)
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)領(lǐng)域,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為核心器件,發(fā)揮著不可替代的作用。英飛凌IGBT模塊憑借其卓越的性能與廣泛的應(yīng)用,成為眾多行業(yè)實現(xiàn)高效能源轉(zhuǎn)換與精準(zhǔn)控制的首選方案。本文將圍繞英飛凌IGBT模塊的基本結(jié)構(gòu)、工作原理及其在實際應(yīng)用中的優(yōu)勢展開闡述。IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,它巧妙結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的高速開關(guān)特性和雙極型晶體
引言在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為關(guān)鍵功率開關(guān)器件,其性能直接影響整個系統(tǒng)的效率和可靠性。而IGBT驅(qū)動電路則是確保IGBT正常工作的核心組件。西門康作為全球知名的功率半導(dǎo)體制造商,其IGBT驅(qū)動產(chǎn)品以卓越的性能和可靠性贏得了市場廣泛認(rèn)可。本文將深入解析西門康IGBT驅(qū)動的工作原理,幫助您更好地理解這一關(guān)鍵組件的工作機(jī)制。西門康IGBT驅(qū)動的基本功能西門康IGBT驅(qū)動電
無錫英飛凌可控硅工作特性解析 英飛凌可控硅概述英飛凌可控硅作為一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)大功率半導(dǎo)體器件,在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這種先進(jìn)的電子元件通過精確控制門極電壓來調(diào)節(jié)陽極和陰極間的導(dǎo)通時間與電流大小,實現(xiàn)對電源的精準(zhǔn)控制。作為電力電子領(lǐng)域的核心元器件,英飛凌可控硅模塊憑借其卓越的大電流承載能力、快速開關(guān)特性及高可靠性,已成為工業(yè)控制、電力轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域的首選解決方案。在當(dāng)今電力
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
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手 機(jī): 18962647678
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地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮(zhèn)富士康路932號
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