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半導體激光器主要是以半導體材料為增益介質的激光器,借助半導體能帶之間躍遷發光,一般以**解理面為諧振腔。所以其具有波長覆蓋面廣、體積小、結構穩定、抗輻射能力強、泵浦方式多樣、產出率高、可靠性好、易高速調制等優點,并且也具備輸出光束質量差,光束發散角大,光斑不一樣,受到帶間輻射的影響導致光譜純度差、工藝制備難度高的特點。不同半導體工作物質產生激光的過程存在較大差異,當前常見的半導體物質包括了InP(
BBO晶體的發明在世界范圍內引發巨大轟動。原先,德國科學家曾發表研究成果,認為BBO晶體是有對稱心的晶體。一般來說,有對稱心的晶體是沒有辦法具備倍頻效應的。德國人一向以細致縝密著稱于世,**還未曾有人對于該研究結果表示質疑。為了完全搞清BBO晶體的晶胞參數,確定BBO晶體的晶體結構,物構所相關研究人員經過近幾年廢寢忘食的研究,總算是以詳實的數據和天衣無縫的實驗驗證了BBO晶體是無對稱心的晶體。
調Q技術又叫Q開關技術,是將一般輸出的連續激光能量壓縮到寬度較窄的脈沖中發射,從而使光源的峰值功率可提高幾個數量級的一種技術。一、調Q激光晶體**原理利用光致爆破原理,激光所集聚高能量瞬間發射,使得固定波長的激光在較短時間內瞬間穿透表皮到達病變組織,相應色基團吸收光能受熱急速膨脹瞬間爆破碎裂,病變組織的色基將逐漸變淡直至消失,而周圍正常皮膚組織由于不吸收固定波長的激光故幾乎無任何損傷。激光能產生一
說到電光調Q晶體可能大家都比較陌生,下來光寶光電先為您介紹一下它,電光調Q是用電信號控制Q晶體。采用這種控制方式,激光器的能量可以連續可調。另外,能量輸出的穩定性也大大**被動調Q的激光器。電光調Q晶體就是通過對電光晶體外加電場施加一個電壓,從而使激光器上能級粒子數迅速增加,諧振腔處于高Q值狀態,從而獲取激光巨脈沖的一類晶體。電光調Q晶體的原理電光調Q是基于電光晶體的電光效應作為Q開關的器件。電光
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