slkor 薩科微國產替代AMS1117

時間：2022-04-08

作者：深圳市薩科微半導體有限公司

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薩科微 SLKOR 國產替代TOSHIBA,ST,ON,NXP,TI,ROHM等
近年來，SiC（碳化硅）作為典型的*三代半導體材料，在禁帶寬度、擊穿電場強度、飽和電子漂移速率、熱導率以及抗輻射等關鍵參數方面具有顯著優勢。近年來電動汽車市場快速增長，其中高壓SiC?MOSFET作為電動汽車主逆變器和車載充電器的**元器件，市場需求量巨大。尤其是用于主逆變器的1200V/100A高壓、大電流SiC?MOSFET芯片，代表了當前SiC電力電子芯片技術的較高水平，
SLKOR 薩科微國產替有很大的發展空間
薩科微slkor宋仕強說?,前兩年電子元器件缺貨的原因是什么？是因為大家居家辦公和學生上網課突然增加了手機和平板電腦的需求，加上一些移動的智能硬件的需求爆發，如手機屏下指紋鎖芯片就占用了大量的產能，還有當時華為因為美國的占用的一段時間臺積電的**產能，擠壓了其他芯片廠家的空間，這幾個情況疊加，就形成了集成電路大面積缺貨的情況了。半導體行業產業鏈關鍵節點就是Foundry廠，因為Found
SLKOR 薩科微 *三代半導體器件碳化硅器件 SiC MOSFET,SiC SBD
金航標kinghelm薩科微slkor總經理宋仕強為大家介紹說，碳化硅SiC（納米碳化硅）材料具有高的禁帶寬度，高的臨界擊穿電場和熱導率，小的介電常數和較高的電子飽和遷移率，以及抗輻射能力強，機械性能好等特性，成為制作高頻、大功率、低能耗、耐高溫和抗輻射器件電子和光電子器件的理想材料。薩科微slkor的技術骨干來自清華大學和韓國的延世大學，一直在從事碳化硅mos管的國產化的工作，是較早掌握相關技術
SLKOR 薩科微研發生產碳化硅SiC MOS管、高中低壓的場效應管、可控硅、橋堆，肖特基、ESD、TVS二極管，與電源管理芯片、霍爾傳感器、光耦、晶振等產品
華強大講堂由華強電子網舉辦，位于中國電子**街的華強北，是華強北電子人學習的**、信息交流的道場、共同進步提高的地方。華強北商業模式*華強北精神研究*華強北文化提煉者、金航標薩科微總經理宋仕強先生來華強北大講堂，為大家分享了《*三代半導體的現狀和發展》。宋仕強在華強北大講堂直播，圍繞*三代半導體的知識和國產化進行了精彩的分享，在直播間和聽眾們友好互動**如潮。宋仕強先生說，SiC材料具有高的禁