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什么是可控硅模塊可控硅模塊是電力電子領域中一種重要的功率半導體器件集成產品,它將多個可控硅芯片以及相關電路集成在一個模塊內,形成功能完善的功率控制單元。作為現代工業自動化控制系統的核心部件之一,可控硅模塊憑借其優異的性能和可靠性,已成為電力電子技術發展的重要推動力量。我們企業長期專注于高品質功率半導體器件的供應,代理銷售包括英飛凌、歐派克、日本三社、IXYS艾賽斯、西門康、富士、三菱、仙童、新電
1. 熔斷器類型的選擇應根據使用場合選擇熔斷器的類型。電網配電一般用刀型觸頭熔斷器;電動機保護一般用螺旋式熔斷器;照明電路一般用圓筒帽形熔斷器;保護可控硅元件則應選擇半導體保護用快速式熔斷器。2. 熔斷器規格的選擇1) 熔體額定電流的選擇(1) 對于變壓器、電爐和照明等負載,熔體的額定電流應略大于或等于負載電流。(2) 對于輸配電線路,熔體的額定電流應略大于或等于線路的安全電流。(3) 在電動機回
靜態特性IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ,正向電壓由J2 結承擔,反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區,則正反向阻斷電壓可以做
在現代電力電子技術飛速發展的今天,各類高效能半導體器件成為行業進步的重要推動力。作為電力電子領域的核心元器件之一,英飛凌IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)憑借其卓越的性能與廣泛的應用場景,持續為產業升級與技術創新注入強勁動力。英飛凌IGBT融合了MOSFET快速開關特性與雙極型晶體管低導通壓降的雙重優勢,展現出高輸入阻抗、高速開關能力以及低導通損耗等突出特點。這一獨特的技術組合,不僅有效提升了能源轉換
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
手 機: 18962647678
微 信: 18962647678
地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮富士康路932號
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