【德國(guó)西門(mén)康可控硅】可控硅工作原理

時(shí)間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：460

上海秦邦電子科技有限公司專(zhuān)注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國(guó)西門(mén)康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 【可控硅模塊】可控硅模塊分類(lèi)

  可控硅模塊分類(lèi)可控硅模塊通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi)；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT結(jié)構(gòu)

  IGBT結(jié)構(gòu)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙較晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱(chēng)為源區(qū)，附于其上的電極稱(chēng)為源較（即發(fā)射較E）。N基較稱(chēng)為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱(chēng)為柵較（即門(mén)較G）。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱(chēng)為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱(chēng)為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有

• 進(jìn)口晶閘管的工作原理

  在中頻爐中整流側(cè)關(guān)斷時(shí)間采用KP-60微秒以?xún)?nèi)，逆變側(cè)關(guān)短時(shí)間采用KK-30微秒以?xún)?nèi)這也是KP管與KK管的主要區(qū)別進(jìn)口晶閘管T在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門(mén)較G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。 晶閘管的工作條件： 1. 晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門(mén)較承受和種電壓，晶閘管都處于關(guān)短狀態(tài)。 2. 晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，僅在

• 熔斷器保險(xiǎn)絲你了解嗎

  熔斷器保險(xiǎn)絲你了解嗎熔斷器又稱(chēng)為保險(xiǎn)絲，是用于保護(hù)電路的安全設(shè)備。它們安裝于各種供電設(shè)和負(fù)載之間，電流過(guò)高時(shí)便會(huì)觸發(fā)熔斷器工作(俗稱(chēng)“燒斷”)，把負(fù)載從電源中斷開(kāi)，減低過(guò)流造成設(shè)備損壞甚至引起火災(zāi)的風(fēng)險(xiǎn)。燒斷了的保險(xiǎn)絲必須棄置并替換，這是它們和功能相近的斷路器的主要分別──斷路器是可復(fù)位的。不過(guò)保險(xiǎn)絲價(jià)格便宜，而且容易替換。新的保險(xiǎn)絲應(yīng)該與舊的有相同的額定電壓和載流。保險(xiǎn)絲提供的安全機(jī)制使得它們成