光電耦合器HCPL-0600-500E SOP-8直流輸入輸出貼片原裝正品

時間：2021-08-19

作者：深圳市南北行電子發展有限公司

詞條
詞條說明
供應STM32F072R8T6 LQFP48 ST單片機IC芯片意法半導體MCU
描述 STM32F072x8/xB微控制器采用了高性能，ARM?Cortex?-M032位RISC核心工作在高達48MHz的頻率，高速嵌入式存儲器(高達128k字節的閃存和16k字節的SRAM)，以及廣泛的增強外設和I/O。所有的設備都提供標準的設備。通信接口（兩個I2C、兩個SPI/I2S、一個HDMICEC和4個USART）、一個USB全速設備（無晶體）、一個CAN、一個12位ADC、1個1
AOS萬代 AOZ8804ADI,MOS管/場效應管
AOZ8804A是一種瞬態電壓抑制器陣列，設計用于保護高速數據線，如HDMI、USB3.0、MDDI、SATA和千兆以太網免受損壞ESD事件的影響。該設備包含8個額定，低電容轉向二極管和一個TVS在一個包。在瞬態條件下，轉向二極管將瞬態引導到電源線的正側或接地。 AOZ8804A提供了0.3pF的典型線到線電容，低插入損耗高達6GHz，提供更大的信號完整性，使其非常適合HDMI1.3或USB3.0
SST39VF6401B-70-4C-EKE 39VF6401B FLASH存儲器全新原裝
SST39VF640xB設備是4Mx16CMOS多功能閃存+(MPF+)，采用SST專有的高性能CMOSSuperFlash技術制造。與替代方法相比，裂柵單元設計和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39VF6.6V電源的640xB寫入（程序或擦除）。這些設備符合對x16存儲器的JEDEC標準針腳分配。 SST39VF640xB設備具有高性能的字程序，提供了典型的字程序時間為7μs
供應全新原裝進口FDMT80080DC 晶體管IC芯片貼片VDFN8
FDMT80080DC N溝道雙CoolTM 88 PowerTrench?MOSFET 80伏254安1.35兆歐特征在VGS=10 V，ID=36 A時，最大rDS（on）=1.35 mΩ 在VGS=8 V，ID=31 A時，最大rDS（on）=1.82 mΩ 用于低rDS的高級封裝和硅組合（on）高效下一代增強型車身二極管技術，專為軟恢復而設計 ?薄型8x8mm MLP組件 ?MS