詞條
詞條說明
1、防止反向電動勢沖擊單向可控硅模塊,導(dǎo)致?lián)p壞。2、可控硅模塊又叫晶閘管(Silicon Controlled rectifier, SCR)。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管,等等。今天大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個PN結(jié),對外有三個
進口晶閘管供應(yīng)? 常見晶閘管特點用途介紹1、單結(jié)晶體管單結(jié)晶體管(UJT)也稱雙基較二極管。從結(jié)構(gòu)功能上類似晶閘管,它是由1個PN結(jié)和兩只內(nèi)電阻構(gòu)成的三端半導(dǎo)體器件,有一個PN結(jié)和2個基較,具有電路簡單、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點。廣泛應(yīng)用于振蕩、定時、雙穩(wěn)電路及晶閘管觸發(fā)等電路。2、單向晶閘管單向晶閘管(SCR)是由PNPN4層3個PN結(jié)組成的,它被廣泛用于可控整流、交流調(diào)壓、逆變器和開關(guān)電源電
IGBT工作特性靜態(tài)特性IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏較電流與柵較電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān),反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N+緩沖區(qū),則正反
二極管簡介二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件?。它具有單向?qū)щ娦阅埽?即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時,二極管導(dǎo)通。 當(dāng)給陽極和陰極加上反向電壓時,二極管截止。 因此,二極管的導(dǎo)通和截止,則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開?。二極管是較早誕生的半導(dǎo)體器件之一,其應(yīng)用非常廣泛。特別是在各種電子電路中,利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進行合理的連接,構(gòu)成不同功能的電
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