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PN8368產品描述:PN8368集成**低待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8368為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)小于30mW。在恒壓模式,采用準諧振與多模式技術提高效率并消除音頻噪聲,使得系統滿足6級能效標準,可調輸出線補償功能能使系統獲得較
AP8022產品描述:AP8022A芯片內部集成了脈寬調制控制品和功率MOSFET,適用于小功率離線開關電源,該芯片提供了完整的智能保護功能,包括過流保護,過壓保護,欠壓保護,過溫保護,突發模式能夠降低系統處于待機模式的功耗。該芯片還內置高壓啟動模塊,保證系統能*啟動。 AP8022產品特點:滿足85-265V寬AC輸入工作電壓單芯片集成730V功率MOSFET內部集成了高壓啟動電路9.5-37
PN8366產品描述:PN8366集成**低待機功耗準諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700*8366H 800V),用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8366為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)小于30mW。在恒壓模式,采用準諧振與多模式技術提高效率并消除音頻噪聲,使得系統滿足6
18W?USB-PD充電器方案較簡BOM 隨著USB PD快充及高通QC4+快充的普及,目前市面上已有多款設備支持了USB PD快充,現在,驪微電子為你們推薦節省10顆外圍的較簡BOM、具成本優勢的PN8161+PN8307H 18W PD快充方案。 ? PD充電器方案PN8161內部集成了準諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET,**于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換
公司名: 深圳市驪微電子科技有限公司
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