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**名稱:平板式可控硅的制作方法技術領域:本實用新型涉及一種平板式可控硅。背景技術:可控硅又稱晶間管,晶間管整流器具有耐壓高、容量大、效率高、控制特性好、體積小、壽命長等諸多優點,發展迅猛。在世紀應用中,大功率晶間管整流裝置一般采用平板式可控硅,其特點是可作雙面冷卻。目前大功率平板式可控硅的封裝普遍采用陶瓷外殼的封裝結構形式,雖然陶瓷材料能夠絕緣、耐熱,但因為陶瓷工藝易碎、雜質難控制等特點,其加工
可控硅調壓模塊的幾種應用電路可控硅 是一種功率半導體器件,也稱雙向晶閘管,在單片機控制系統中,可作為功率驅動器件,由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題,控制電路簡單,因此特別適合做交流無觸點開關使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器,且連接在強電網絡中,其觸發電路的抗干擾問題很重要,通常都是通過光電耦合器將單片機控制系統中的觸發信號加載到可控硅的控制較。為減小驅動功率和可控硅觸發時產生的干擾
IGBT結構N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結構, N+區稱為源區,附于其上的電極稱為源較(即發射較E)。N基較稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵較(即門較G)。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(包括P+和P-區)(溝道在該區域形成),稱為亞溝道區(Subchannel region)。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區(Drain injector),它是IGBT特有
整流橋模塊的作用是什么:整流橋模塊的功能,是將由交流配電單元提供的交流電,變換成48V或者24V直流電輸出到直流配電單元。采用諧振電壓型雙環控制的諧振開關電源技術,具有穩壓精度高、動態響應快的特點。整流模塊內置MCU,全智能控制,可實現單機或多機并聯運行。模塊可以帶電熱插拔,日常維護方便快捷。采用多級吸收,具有過壓、欠壓、短路、過流、過熱等自動保護及自動恢復運行功能。散熱條件的好壞,直接影響模塊的
公司名: 上海秦邦電子科技有限公司
聯系人: 林女士
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