詞條
詞條說明
無感吸收電容是指刻意采取了降低感抗措施的電熔類器件。采用電極板的特殊繞法,表現(xiàn)出的電感很小,適合在高頻電路使用。用途:主要用于UPS、變頻器、電鍍電源、逆變焊機(jī)、逆變電源以及感應(yīng)加熱設(shè)備等其他電力電子設(shè)備,IGBT吸收高頻尖峰電壓、電流用。無感吸收電熔 其實(shí)是無感吸收電熔的一個統(tǒng)稱吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器,可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),消除由于母排的
二極管模塊的集成化優(yōu)勢在現(xiàn)代電子設(shè)備設(shè)計中,空間利用率和系統(tǒng)集成度已成為工程師們重點(diǎn)考量的因素。二極管模塊作為一種將多個二極管集成在一起的半導(dǎo)體器件模塊,其集成化設(shè)計為電子系統(tǒng)帶來了革命性的改變。這種設(shè)計不僅大大簡化了安裝流程,更重要的是顯著節(jié)省了寶貴的電路板空間,使整體系統(tǒng)布局更加緊湊高效。我們公司代理的EUPEC、西門康、三菱等國際知名品牌二極管模塊,均采用先進(jìn)的封裝工藝,將多個高性能二極管
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)應(yīng)用中,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)憑借其優(yōu)越的性能,已成為眾多行業(yè)不可或缺的核心元器件。作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名品牌,英飛凌IGBT模塊因其高可靠性、高效率及廣泛適用性而備受青睞。本文將圍繞英飛凌IGBT模塊的選型要點(diǎn)展開分析,幫助用戶根據(jù)實(shí)際需求作出科學(xué)合理的選擇。一、了解英飛凌IGBT的基本特性英飛凌IGBT模塊融合了MOSFET的快速開關(guān)特性和雙極型晶體管的低導(dǎo)通壓
富士IGBT模塊概述富士IGBT模塊作為電力電子領(lǐng)域的核心功率器件,由全球知名半導(dǎo)體制造商富士電機(jī)精心打造,憑借其卓越的性能表現(xiàn)和可靠的品質(zhì)保證,已成為工業(yè)自動化、新能源發(fā)電、軌道交通等領(lǐng)域的首選功率器件之一。富士電機(jī)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域擁有數(shù)十年的技術(shù)積累,其IGBT模塊產(chǎn)品線涵蓋了從低壓到高壓、從小電流到大電流的廣泛應(yīng)用范圍,能夠滿足不同行業(yè)客戶的多樣化需求。作為一家專業(yè)代理國際知名品牌功率器件
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯(lián)系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
手 機(jī): 18962647678
微 信: 18962647678
地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮(zhèn)富士康路932號
郵 編:
網(wǎng) 址: qiwodz.cn.b2b168.com
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯(lián)系人: 林志勝
手 機(jī): 18962647678
電 話: 0512-50111678
地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮(zhèn)富士康路932號
郵 編:
網(wǎng) 址: qiwodz.cn.b2b168.com