MOS管STN2610 參數 N60V 50A 應用于電子測量儀器原廠庫存足交貨快

時間：2020-03-26

作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司

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STANSON技術形成于1981年，業務集中于出口當時的半導體設備和零件。此后，她逐漸轉型為材料和零部件銷售。 1996年，由于市場需求，司坦森科技在閩臺成立子公司，設計/開發半導體器件，如電晶體、莫斯菲特、二極管及IC設計。為了進一步加強對中國客戶的支持，司坦森科技在閩臺和深圳設立了銷售辦事處。司坦森提供各種規格的寬產品線的總電源解決方案。這包括監管者，如液晶顯示器/電視、dsc、磁盤陣
STC4301D原廠NP40V 23A可替代AOD609、AOD606、FKD4903
STANSON 閩臺司坦森原廠直銷長期庫存充足，價格優美，質量保證STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4說明STC4301d是采用高電池密度的n&p溝道增強模式電場效應晶體管dmos戰壕技術。這種高密度的過程特別適合將狀態阻力降到低并提供優越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應用如電源管理，其
STN4402參數 30V 12A 廠家直銷MOS管場效應管
產品描述：STN4402是N溝道增強型功率場效應晶體管邏輯，它是利用高密度，DMOS器件溝道技術。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少工作時的阻力。這些器件特別適合于低電壓應用，如電源管理和其他高側開關的電池供電電路特征30V?/?12A，RDS（ON）=?13MΩ（典型值）@?VGS?=?10V30V／10A，RDS（ON）=
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STN2610D替代AO442G、50N06、NCE6050K描述stn2610d使用溝槽技術，提供優良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設備是適合作為負載開關或在應用程序使用。特征60v / 10.0a，RDS（上）= 10mΩ（典型值@ VGS = 10v60v / 8.0a，RDS（上）= 12m@ VGS = 4.5v**高密度電池設計較低的RDS（on）特殊的阻力和較大直流電流能力to-25