詞條
詞條說明
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優
選擇使用IGBT時需要考慮以下幾個因素:電流和電壓要求:根據應用需求確定所需的電流和電壓等級,確保選用的IGBT能夠承受和適應工作條件下的電流和電壓。開關速度:根據應用需要確定所需的開關頻率和響應時間,選擇具有恰當開關速度的IGBT,以確保它能夠在給定的操作頻率下正常工作,并滿足快速響應的要求。功率損耗:考慮IGBT的導通和開關損耗,以確定在負載條件下所需的散熱能力和冷卻要求。低導通和開關損耗的I
IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。當集電極被施加一
正確選擇富士IGBT的關鍵在于了解和確定以下幾個因素:額定電壓(Vce)和額定電流(Ic):根據實際應用需求,確定所需的額定電壓和額定電流范圍,以確保所選富士IGBT能夠滿足工作條件。開關速度:根據應用的開關頻率和響應要求,選擇富士IGBT的開關速度,一般有標準、高速和超快三種類型可選。包裝類型:富士IGBT有各種不同的封裝形式,如插件型、表面貼裝型和模塊型等,根據設備的安裝和布局要求,選擇適合的
公司名: 深圳市寶安區誠芯源電子商行
聯系人: 劉經理
電 話: 13128707396
手 機: +86 13128707396
微 信: +86 13128707396
地 址: 廣東深圳福田區園嶺街道園東社區園嶺八街園嶺新村92棟103
郵 編:
網 址: hchsw.cn.b2b168.com
公司名: 深圳市寶安區誠芯源電子商行
聯系人: 劉經理
手 機: +86 13128707396
電 話: 13128707396
地 址: 廣東深圳福田區園嶺街道園東社區園嶺八街園嶺新村92棟103
郵 編:
網 址: hchsw.cn.b2b168.com