臺產STC4614 NP40V 10A可替代Si4567 AO4614A Si4599DY Si4564DY原廠庫存充足

時間：2020-01-05

作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司

詞條
詞條說明
STP4925 SOP-8 P30V 7.2A stanson廠家大量現(xiàn)貨
描述stp4925是雙P溝道增強型功率場效應晶體管邏輯使用的是高密度，DMOS器件溝道技術。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少對國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應用，筆記本電腦電源管理，和其他電池供電的電路，高側開關特征-30V / -7.2a，RDS（上）= 20mΩ（典型值@ VGS = - 10V-30V / -5.6a，RDS（上）= 25mΩ@ VGS = 4.5v**高密度電池設計
STN4828 **0V 10A STANSON 原廠替代Si4900、AO4828
STANSON/司坦森原廠 STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930、MDS5951、SM4041DSK、Si9945BDY、Si4946CDY描述STN4828是雙N溝道邏輯增強型功率場效應晶體管是利用高密度，DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力。這些裝置特別適合于低電壓應用，筆記本電腦電源管理和其他電池供電的電路，高側開關特征60V
STANSON原廠現(xiàn)貨STP4435參數(shù)P30V 10A用于車燈可替代Si9804、AO4419
STP4435A替代Si9804、AO4419、AO4411、Si4425、Si4435、Si4431、AO4405E、AO4449、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4405、Si4431CDY、SM4310PSK、SM4915PSK、AO4415、AO4459描述stp4435是P溝道增強型功率場效應晶體管邏輯它是利用高密度，DMOS器件溝道技術。這種高密度過程是特別定制，以
MOS管STN2610 參數(shù) **0V 50A 應用于電子測量儀器原廠庫存足交貨快
STN2610D替代AO442G、50N06、NCE6050K描述stn2610d使用溝槽技術，提供優(yōu)良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設備是適合作為負載開關或在應用程序使用。特征60v / 10.0a，RDS（上）= 10mΩ（典型值@ VGS = 10v60v / 8.0a，RDS（上）= 12m@ VGS = 4.5v**高密度電池設計較低的RDS（on）特殊的阻力和較大直流電流能力to-25